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硅的污染及處理：
　　 硅化合物污染發(fā)生在強堿陰離子交換器中，尤其是在強、弱型陰樹脂聯合應用的設備和系統(tǒng)中，其結果往往導致陰離子交換器除硅效率下降。
　　陰床的強堿樹脂再生不當、失效的樹脂未及時再生或陰樹脂再生不徹底，會發(fā)生硅酸在樹脂顆粒內部聚合的現象，而難以再生，這種現象是硅在樹脂內的積聚，不屬于硅的污染。硅的污染是指再生過程中，已從樹脂上再生出來的硅酸鹽，由于再生液pH值的降低，大量的硅酸以膠體狀態(tài)析出，嚴重時再生液可以變成膠凍狀，被覆于樹脂表面，影響樹脂的交換容量，并造成出水SiO2含量增高。
　　順流再生固定床和移動床一般不會發(fā)生硅的污染。硅的污染主要發(fā)生于原水中硅的含量與總陰離子含量（不包括堿度）比值高的對流再生單床，尤其是在弱、強型陰離子交換樹脂聯合應用的設備和系統(tǒng)中。
　　清洗二氧化硅污染可用燒堿，建議用量為130-160g/L，濃度為2.0%，處理溫度為50°C-60°C。樹脂床須先浸泡，如條件不允許，可將溶液以2個床體積/小時的流速通過樹脂床，這方法的關鍵是保持較高溫度及接觸時間。
　　防止硅污染的主要措施有：
　　1、陰床失效后要及時再生，不在失效態(tài)備用。
　　2、再生堿液應加熱，Ⅰ型樹脂不高于40°C，Ⅱ型樹脂不高于35°C。
　　3、降低再生液的濃度至2%NaOH。
　　4、再生液的流速不低于5m/h，但應保持進再生液的時間不少于30min。
　　5、聯合應用系統(tǒng)中要從設計上保證弱型樹脂先失效。